倍压整流电路的分析和仿真

第２５卷　第８期　Ｖｏ１．２５　Ｎｏ．８　电子设计工程　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｄｅｓｉｇｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　２０１７年４月　Ａｐｒ．２０１７　倍压整流电路的分析和仿真　闫良，闫英敏，杨凤彪　（军械工程学院车辆与电气工程系，河北石家庄０５０００３）　摘要：倍压整流电路广泛应用于高压电源中，其输出脉动电压幅值和压降的大小影响着电源的性　能。本文针对高压电源的倍压整流电路．推导了沃尔顿倍压整流电路和改进的倍压整流电路脉动电　压幅值和输出压降公式，并采用ｍａｔｌａｂ进行建模与仿真，验证了公式的正确性，与沃尔顿倍压整流　电路相比．改进的倍压整流电路的脉动电压幅值与输出压降大大减小。　关键词：沃尔顿倍压整流电路；改进的倍压整流电路；脉动电压幅值；输出压降　中图分类号：ＴＮ７１０．９；ＴＰ３３７　文献标识码：Ａ　文章编号：１６７４—６２３６（２０１７）０８—０１１９—０５　Ａｎａｌｙｓｉｓ　ａｎｄ　ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｉｎｇ　ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ＹＡＮ　Ｌｉａｎｇ，ＹＡＮ　Ｙｉｎｇ—ｍｉｎ，ＹＡＮＧ　Ｆｅｎｇ－ｂｉａｏ　（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｖｅｈｉｃｌｅ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｏｒｄｎｏ２１Ａ７ｅ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｃｏｌｌｅｇｅ，Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ　０５０００３，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｉｎｇ　ｒｅｃｔｉｉｅｒ　ｃｉｆｒｃｕｉｔ　ｉｓ　ｗｉｄｅｌｙ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｈｉｇｈ—ｖｏｌｔａｇｅ　ｐｏｗｅｒ　ｓｕｐｐｌｙ，ｔｈｅ　ｏｕｔｐｕｔ　ｉｐｐｌｒｅ　ａｎｄ　ｄｒｏｐ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｏｆ　ｗｈｉｃｈ　ｅｆｆｅｃｔ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｐｏｗｅｒ　ｓｕｐｐｌｙ．Ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ　ｇｉｖｅｓ　ｏｕｔｐｕｔ　ｒｉｐｐｌｅ　ａｎｄ　ｄｒｏｐ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｆｏｒｍｕｌａ　ｏｆ　Ｗａｌｔｏｎ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｉｎｇ　ｒｅｃｔｉｉｆｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ａｎｄ　ａｎ　ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｉｎｇ　ｒｅｃｔｉｉｆｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｆｏｒ　ｖｏｈａｇｅ　ｄｏｕｂｌｉｎｇ　ｒｅｃｔｉｉｆｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｏｆ　ｈｉｇｈ　ｖｏｈａｇｅ　ｐｏｗｅｒ　ｓｕｐｐｌｙ，ａｎｄ　ｉｔ　ｉｓ　ｓｉｍｕｌａｔｅｄ　ｔｏ　ｖｅｒｉｆｙ　ｔｈｅ　ｆｏｒｍｕｌａ　ｂｙ　ｔｈｅ　ｕｓｅ　ｏｆ　ｍａｔｌａｂ．Ｃｏｍｐａｒｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｗａｌｔｏｎ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｉｎｇ　ｒｅｃｔｉｉｅｒｆ　ｃｉｒｃｕｉｔ，ｔｈｅ　ｏｕｔｐｕｔ　ｒｉｐｐｌｅ　ａｎｄ　ｄｒｏｐ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｏｆ　ａｎ　ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｉｎｇ　ｒｅｃｔｉｉｆｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｉｓ　ｇｒｅａｔｌｙ　ｒｅｄｕｃｅｄ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：Ｗａｌｔｏｎ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｉｎｇ　ｒｅｃｔｉｉｆｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔ；ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｅｒ　ｒｅｃｔｉｉｆｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔ；ｒｉｐｐｌｅ　ｖｏｌｔａｇｅ　ａｍｐｌｉｔｕｄｅ；ｄｒｏｐ　ｖｏｌｔａｇｅ　倍压整流电路是由二极管和电容器串并联组成　的，利用耐压较低的二极管和电容，可以将电压幅值　较低的交流整流成高压直流。其广泛应用在高压直流　电源中。一方面可以减小变压器的砸比，降低变压器　输出压降。即无负载时理论输出电压值与有负载时　输出最大电压之差：脉动电压幅值是有负载时输出　的沃尔顿倍压整流电路输出电压脉动电压幅值和压　降较大，限制了直流高压电源的发展［２－３１。　其工作过程为：当变压器次级绕组电压极性为上负　下正时，二极管Ｄ　导通，将电容Ｃ　充电至电压　，当　Ｕ为上正下负时，二极管Ｄ　截止，Ｄ。导通，　和电容　Ｃ　共同给Ｃ　充电，电容Ｇ　充电至２Ｕ，随着变压器次　设计难度，另一方面电路结构简单。倍压整流电路【　】　级绕组极性的变化，二极管依次导通，依次充电至，　因此加到负载两端的直流电压为２ｎＵ。本拓扑结构　的优点是每个电容上的电压不超过变压器次级绕组　电压最大值与最小值之差的一半。但目前广泛应用　峰值电压的２倍。　１倍压整流电路的分析　１．１沃尔顿倍压整流电路　沃尔顿倍压整流电路的拓扑结构（４１￣１：１图１所示，　图１　沃尔顿倍压整流电路　收稿日期：２０１６—０３—１０　稿件编号：２０１６０３１３１　１１９－　作者简介：闰良（１９９２一），男，河南许昌人，硕士研究生。研究方向：高压脉冲电源。　—．《电子设计工程｝２０１７年第０８期　为分析方便，文中的电路参数皆如下设定：假定　所有电容都为Ｃ，流经负载的电流为，，交流电源的　频率为　下面把图１中电容在每周期内充放电过程　分为以下４个过程：１）在ｔ。时间段内，上柱电容经二　容Ｃｋ在充电时得到电荷（ｎ—ｋ）Ｑ　＋Ｑ　，在放电时失去　电荷（ｎ－ｋ）Ｑ　＋Ｑｚ，故电容　的脉动电压为：　（１）　极管Ｄ２、Ｄ４…Ｄ２ｎ向下柱电容和负载放电；２）在ｔ　时　间段内，下柱电容向负载放电；３）在ｔ：时间段内，下　柱电容经二极管Ｄ　、Ｄ　…Ｄ　向上柱电容和负载放　电，Ｃ　由交流电源经Ｄ。充电；４）在ｔ３时间段内，下柱　电容向负载放电。充电时间ｔ。和ｔ：极短，沃尔顿倍压　输出电压的总脉动电压为电容Ｃ　、Ｃ　、…Ｃ　上脉　动电压之和．则　＝　（２）　二　，　ｋ　＝　１　则输出电压脉动电压幅值为：　电路输出波形如图２所示Ｉ　５】。　２ｎＵ　图２沃尔顿倍压整流电路输出波形　在图２中，下柱电容在ｔｌ＊　时间段向负载及上　柱电容输出电荷，在ｔ。时间段内由上柱电容向其补充　电荷，由电荷守恒定律知，二者相等。同理，上柱电容　在ｔＡＤＢ时间段内失去的电荷等于由时间段内下柱　电容向其补充得到的电荷。　假设一个周期内流经负载的电荷为Ｑ　，下柱电　容向负载输入的电荷为Ｑ：，上柱电容向负载输入的　ｒ　电荷为ａＱ，则Ｑ　＝Ｑ　＋ＡＱ且Ｑ　＝　。　‘，　在ｔｌ＋ｆ２＋　，时间段内，下柱电容向负载输出电荷，　每个电容都失去电荷Ｑ：，在￡。时间段内，上柱电容　向下柱电容补充其失去的电荷Ｑ：，并向负载输出电　荷ａＱ，共失去电荷Ｑ　。为了补充下柱电容失去的电　荷，在ｔ：时问段内下柱电容（除电容　外）经Ｄ。、Ｄ，　…Ｄ　。向上柱电容补充电荷Ｑ。，此时下柱电容（除电　容　外）又都失去电荷Ｑ　。为了补充下柱电容（除电　容Ｃ　外）的损失，在ｔ。时间段内上柱电容（除电容Ｃ　外）经Ｄ　、Ｄ　…Ｄ　之向下柱电容（除电容Ｃ　外）补充　电荷Ｑ　，此时上柱电容（除电容Ｃ　外）失去电荷Ｑ。。　为补充上柱电容（除电容Ｃ　外）失去的电荷，下柱电　容（除电容Ｃ　和ｃｎ外）经过Ｄ　、Ｄ，…Ｄ　ｑ向上柱电　容（除电容　外）补充电荷Ｑ。。以此类推下去，不难　发现，图１中每个电容在一个周期内的电荷的收支　情况是不一样的，电容　在一个周期内电荷收支为　Ｑ　，电容Ｃ　在一个周期内电荷收支为Ｑ　＋ｐ：。则电　一１２０－　８Ｕ＝￣－ＳＵｘ＝　（３）　在ｔ。时间段内，电容Ｃ　向Ｃ。及负载传输电荷　ｎＱ。，故电容Ｃ　能充电至２　上，。在　时间段内电　容Ｃ。向Ｃ　及负载传输电荷，电容Ｃ　能充电至２Ｕ一　孕一Ｃ　　Ｃ　上）一　Ｃ　’，以此类推，…　“。’　。则电容　上的压　　一　。～　降为：　一孕＋　［州　）＋．．．　－ｋ＋１）］＋　（４）　由ｔｌ＋ｔ２＝　，则　上的压降可改写为：　句　（２ｎ—ｋ＋１）（２ｋ一１）　（５）　输出电压的压降为电容Ｃ　、Ｃ：…Ｃ　上压降之和，　则压降△　为　ＡＵ＝　∑（２ｎ—ｋ＋１）（２ｋ—１）　Ｉ８ｎ３＋　３ｎＺ＋ｎ　：　——１２　—（６）　１．２改进的倍压整流电路　高压电源性能指标越高，要求输出电压脉动电　压和压降越低，由公式（３）和（６）知，沃尔顿倍压整流　电路输出波形的纹波电压和电压降都较大，并不适　于精度高的电源设计中。为此，本文提出一种改进的　倍压整流电路　，其拓扑结构如图３所示。　假定变压器Ｔ的两个次级绕组匝数相同，次级　绕组交流电压幅值都为　，并且同名端都在上端。其　工作过程为：当变压器次级绕组电压极性为上负下　正时，Ｄ　、Ｄ　导通，Ｄ。。、Ｄ　截止，次级绕组电压给电　容和充电至电压。当变压器次级绕组电压极性为上　正下负时，Ｄ。　、Ｄｎ、Ｄ。　、Ｄｄ　导通，Ｄ　。、Ｄｂ　截止，次级绕　组电压　和　。、ｃｃ　共同给电容　充电，将其电压　升至２Ｕ，同时次级绕组电压　将电容　。、Ｃｎ充至电　闫良。等倍压整流电路的分析和仿真　图３改进的倍压整流电路　压　，随后二极管依次导通，将电容　。、　。…　充　至电压２Ｕ，极性为左负右正，并将电容　。、　：…　充至电压２　，极性为左正右负。　改进的倍压整流电路是由对称式沃尔顿倍压电　路演变来的，可以看做是对称式沃尔顿相串联起来　６　等一　鲁＝等　ｃ９　６　争６　＝杀　（１０）　在中柱被充电的时间段内，中柱电容Ｃ　被充电　的　埘。要分析改进倍压整流电路的脉动电压和压降．　须先分析对称式沃尔顿倍压电路，其拓扑结构如图　４所示　至２　争砉，中柱电容　被充电至２Ｕ　ｎ　一　丁ｎ－１　Ｉ以此类推中柱电容被充电至２Ｕ－ｎ２一　，…一　一　冬　Ｉ。则中柱输出电压压降△　为：　ＡＵ＝亩（２ｎ　ｚ＋凡）　（１１）　（１２）　由公式（１１）和（１２）得，改进倍压整流电路的脉　动电压幅值和电压降分别如下：　图４对称式沃尔顿倍压整流电路　６Ｕ＝　Ｉ　在图４中，当变压器次级绕组输出电压为上正　下负时，上柱给中柱及负载放电，同时中柱给下柱放　电，所以此时中柱上的电压上升速度会明显减小，输　出电压的脉动会得到改善。对称式沃尔顿倍压电路　中柱电容每半个周期就会被充电一次，而向负载放　电不到半周期．该电路上柱给中柱充电时间仅仅是　图１电路中的一半。由于中柱充电时间很短，可以忽　略上柱和下柱向负载放的电荷．而认为负载的电荷　△　吉　路的脉动电压幅值和电压降分别为：　（１３）　令ｐ＝ｇ　手（假定　为偶数），则改进倍压整流电　砉　（１４）　仅是由中柱供给的，设为ｐ　。　由上述的分析可知，上柱向中柱放电时，中柱电　容脉动电压为：　△　嘉（鲁＋孚＋寺）　２．１仿真模型的搭建　（１５）　２两种倍压整流电路的仿真分析　在ｍａｔｌａｂ中搭建沃尔顿４倍压整流电路和改　进的４倍压整流电路的仿真模型ｆ１２　，其模型分别　如图５和图６所示。在图５中的模型，选取交流电　监＋（翌＝　）Ｑ　＋…＋且２Ｃ２　２　：　ｉ　２盟２　２Ｃ　ｆ７、　２Ｃ１　中柱要向下柱放电，中柱电容脉动电压为（下式　中负号表示脉动电压变化为负）：　一　　０５０，电容皆为１　Ｉ．ｚＦ，负载为１５　ｋＳｑ。在图６　２Ｃ】　。　２　。　。轰一　２Ｃ　２　２等（Ｃ一８　）　２２０：１＋　…压幅值为２２０　Ｖ，频率为２５　ｋＨｚ，变压器变比为　模型中，变压器变比为２２０：１　０５０：１　０５０，其余参数与　图５皆相同。　一则由公式（７）和（８）知，中柱总的脉动电压　和脉动电压６　幅值为：　１’１一　《电子设计工程））２０１７年第０８期　图５沃尔顿４倍压整流电路仿真模型　Ｐ母　怖　ＲＩ．ＣＢｒａ劬ｉ　图６改进４倍压整流电路仿真模型　２．２仿真结果分析　图５与图６电路输出电压波形分别如图７和图　８所示。不难发现，沃尔顿４倍压整流电路的脉动电　压值约为２０　ｖ，输出电压降约为８Ｏ　Ｖ，而改进４倍　压整流电路脉动电压值约为５　Ｖ，输出电压降约为　１８　Ｖ。沃尔顿倍压４倍压整流电路的脉动电压幅值　和电压降值都远远大于改进４倍压整流电路，通过　改进拓扑结构可以减小脉动电压和电压降值。　ｎｍｅ／　图８改进的４倍压整流电路输出电压波形　电压幅值和输出压降的公式推导及仿真分析，得出　以下结论。　１）脉动电压幅值和输出压降值与电源频率和整　流电容值成反比，与负载电流大小成正比；　２）与沃尔顿倍压整流电路相比，改进倍压整流　电路可以大大减小脉动电压幅值和输出压降值。　Ｔ　Ｊｍｅ／ｓ　图７沃尔顿４倍压整流电路输出电压波形　参考文献：　［１］郝波，霍龙．多倍压整流电路的ＰＳＰＩＣＥ分析与研究　３　结　论　－［Ｊ］．电力学报，１９９６（２）：８一ｌ１．　２］王昌．Ｘ射线电源系统研究［Ｄ］．北京：北京交通大　通过对沃尔顿倍压电路和改进倍压电路的脉动　［１２２－　闰良．等　倍压整流电路的分析和仿真　学．２００７．　ｍｅｔｈｏｄ　ｆｏｒ　ｒｅｄｕｃｉｎｇ　ｒｉｐｐｌｅ　ｏｆ　Ｃｏｃｋｃｒｏｆｔ－Ｗａｌｔｏｎ　ｇｅｎｅｒａｔｏｒ　ｉｎ　ａｎ　ｕｌｔｒａｈｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　［３］张广鹏．医用诊断Ｘ射线机高频高压发生器的研　制ｆＤ】．广州：南方医科大学，２０１３．　［４】王帅，彭磊．几种高压开关电源倍压电路的研究　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ［ＪＪ．Ｒｅｖｉｅｗ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，　１９９４，６５（１０）：３１９４—３１９８．　【Ｊ］．通信电源技术，２０１３（４）：３２—３３．　［５】张仁豫，陈昌渔，等．高电压试验技术［Ｍ】．北京：　清华大学出版社．２００３．　［６】唐治德，张正茂，杨红，等．全桥ＬＬＣ串联谐振Ｘ光　机高压直流电源［Ｊ］．重庆大学学报，２０１２，３５（３）：　８５—９１．　［１　１］Ｉｑｂａｌ　Ｓ，Ｂｅｓａｒ　Ｒ，Ｖｅｎｋａｔａｓｅｓｈａｉａｈ　Ｃ．Ｓｉｎｇｌｅ／　ｔｈｒｅｅ—ｐｈａｓｅ　ｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ　ｂｉｐｏｌａｒ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｍｕｈｉｐ—　ｌｉｅｒｓ　ｆｏｒ　Ｘ－ｒａｙ　ｐｏｗｅｒ　ｓｕｐｐｌｙ［Ｃ］／／Ｅｌｅｃｔｉｒｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００８．１ＣＥＥ　２００８．Ｓｅｃｏｎｄ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ．ＩＥＥＥ，２００８：１—６．　［１２］银志军，赵扬，孙大维，等．倍压整流电路的仿真　［７］唐治德，杨红，王官涛，等．适用于医用Ｘ光机电　源的一种新型电压倍增器［Ｊ］．生物医学工程学杂　志，２０１１，５（５）：９４６—９５０．　与分析ｆＪ］．光电技术应用，２００６，５：７１—７５．　［１３］陈翔，王丛岭，杨平，等．倍压整流电路参数分析　与设计［Ｊ］．科学技术与工程，２０１２，２９（２９）：７７３２—　７７３５．　［８］Ｉｑｂａｌ　Ｓ，Ｂｅｓａｒ　Ｒ．Ａ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｃｏｃｋｃｒｏｆｔ—Ｗａｌｔｏｎ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，２００７，４（１０）：７９５－８０１．　Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ　ｆｏｒ　Ｇａｓ　Ｌａｓｅｒｓ［Ｊ］．Ａｍｅｒｉｃａｎ　［１４］刘新泉，朱明光．三柱式倍压整流在高压电源中的　应用『Ｊ］．沈阳师范大学学报，２００３，２１（１）：２８—３０．　［１５］林志琦，郎永辉，王岩，等．倍压整流电路电容参　数的优化设计［Ｊ］．长春工业大学学报，２００９，３０　（５）：５５ｌ一５５５．　［９】李自成，袁保山．改进型低纹波Ｃ０ｃｋｃｒｏｆｔ－Ｗａｈｏｎ倍　压电路及其特性研究ｆＪ１．科学技术与工程，２０１４　（１７）：６４－６７．　［１０］Ｚｈａｎｇ　Ｈ，Ｔａｋａｏｋａ　Ａ．Ｅｆｉｃｉｆｅｎｔ　ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　（￣＊ｉ－ｇ　１１８页）　［９］Ｖｅｎｋａｔａｒｅｄｄｙ　Ａ，Ｓｉｔｈａｒａ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉ０ｎ　［１　２］Ｄｅｌｇａｄｏ－Ｆｒｉａｓ　Ｊ　Ｇ，Ｚｈｅ　Ｚｈａｎｇ，Ｔｕｒｉ　Ｍ　Ａ．Ｌｏｗ　ｏｆ　ａ　Ｎｏｖｅｌ　Ｌｏｗ　Ｌｅａｋａｇｅ　Ｐｏｗｅｒ　ａｎｄ　Ａｒｅａ　Ｅｆｉｃｉｆｅｎｔ　ｐｏｗｅｒ　ＳＲＡＭ　ｃｅｌｌ　ｄｅｓｉｇｎ　ｆｏｒ　ＦｉｎＦＥＴ　ａｎｄ　Ｃ　ＮＴＦＥＴ　７Ｔ　ＳＲＡＭ　Ｃｅｌｌ　［Ｃ］／／２０１６　２９ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　ＶＬＳＩ　Ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　２０１６　１５ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｅｍｂｅｄｄｅｄ　Ｓｙｓｔｅｍｓ．　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ『ＣＩ／／２０　１　０　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｅｅ　ｏｎ　Ｇｒｅｅｎ　Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ．Ｐｉｓｃａｔａｗａｙ，ＮＪ，ＵＳＡ：１ＥＥＥ，　２０１０：５４７－５５３．　Ｌｏｓ　Ａｌａｍｉｔｏｓ，ＣＡ，ＵＳＡ：ＩＥＥＥ　Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，　２０１６：２０２—２０６．　『１３］陈海峰．超深亚微米ＣＭＯＳ器件ＧＩＤＬ电流及其可　靠性研究『Ｄ】．西安：西安电子科技大学，２００８：２．　电路一电路、系统与设计［Ｍ１．周润德，等译．北京：　电子工业出版社．２０１０：４８４—４９０．　［１０］Ｃｈｕａ—Ｃｈｉｎ　Ｗａｎｇ，Ｄｅｎｇ－Ｓｈａｉｎ　Ｗａｎｇ，Ｃｈｉａｎｇ－　ｆ１４］Ｊａｎ　Ｍ　Ｒａｂａｅｙ，ＡｎａｎｔｈａＣｈａｎｄｒａｋａｓａｎ数字集成　Ｈｓｉａｎｇ　Ｌｉａｏ．Ａ　ｌｅａｋａｇｅ　ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｄｅｓｉｇｎ　ｆｏｒ　ｌｏｗ　ｓｕｐｐｌｙ　ｖｏｌｔａｇｅ　ＳＲＡＭ［Ｊ］．１ＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｖｅｒｙ　Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ（ＶＬＳＩ）Ｓｙｓｔｅｍｓ，　２０１６，２４（５）：１７６１—１７６９．　ｆ１５１陈海峰．超深亚微米ＣＭ０Ｓ器件ＧＩＤＬ电流及其可　靠性研究［Ｄ】．西安：西安电子科技大学，２００８．　『１６］崔岩．采用Ｔ型电路参数法对现场电流互感器测　量的研究『Ｊ１．陕西电力，２０１ｌ（９）：６３—６６．　【１　１］Ｎａｉｒ　Ｐ，Ｅｒａｔｎｅ　Ｓ，Ｊｏｈｎ　Ｅ．Ａ　ｑｕａｓｉ—ｐｏｗｅｒ—ｇａｔｅｄ　ｌｏｗ－ｌｅａｋａｇｅ　ｓｔａｂｌｅ　ＳＲＡＭ　ｃｅｌｌ［Ｃ］／／２０１０　５３ｒｄ　ＩＥＥＥ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｍｉｄｗｅｓｔ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ　ａｎｄ　ｆ１７１朱成龙，张杰，何康康，等．弯管成型截面畸变有　限元数值仿真分析［Ｊ１．火箭推进，２０１５（５）：７７．　Ｓｙｓｔｅｍｓ．Ｐｉｓｃａｔａｗａｙ，ＮＪ，ＵＳＡ：ＩＥＥＥ，２０１０：　７６１－７６４．　—．１２３－