专利名称：硅通孔互连结构及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：冉春明,黄仁德,李志伟,王欢申请号：CN201711274304.7申请日：20171206公开号：CN107946239A公开日：20180420
摘要：一种硅通孔互连结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一面；在部分所述基底第一面表面形成第一电连接层，所述第一电连接层的电阻小于多晶硅的电阻；在部分所述第一电连接层表面形成第一插塞；形成所述第一插塞之后，形成贯穿基底的通孔，所述通孔底部暴露出第一电连接层；在所述通孔内形成第二插塞。所述方法使得第一插塞与第二插塞之间的电阻较小。
申请人：德淮半导体有限公司
地址：223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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