专利名称：一种半导体器件的制造方法专利类型：发明专利发明人：李勇
申请号：CN201710132222.2申请日：20170307公开号：CN108573850A公开日：20180925
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，在NMOS器件区和PMOS器件区的半导体衬底上均形成有栅极沟槽；在栅极沟槽的底部和侧壁上形成高k介电层；在NMOS器件区内的高k介电层的表面上形成保护层；在含氧气氛下进行退火处理，以在PMOS器件区的半导体衬底和高k介电层之间形成界面层；去除保护层。本发明的方法，在PMOS器件区的栅极沟槽底部形成界面层，高k介电层可以保护界面层使其不被暴露在空气中，显著改善界面层的质量，在NMOS器件区形成有保护层，在NMOS器件区不易形成界面层并且界面态很小，因此本发明的方法改善了器件的可靠性，提高了器件的性能和良率。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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