专利名称：硅晶太阳能电池的制造方法以及硅晶太阳能电池专利类型：发明专利
发明人：周益钦,刘珈芸,郑丞良,王品胜,吴邦豪申请号：CN201310278305.4申请日：20130704公开号：CN104134718A公开日：20141105
摘要：本发明提供一种硅晶太阳能电池的制造方法以及硅晶太阳能电池，包括下列步骤。提供受光面上形成掺杂层的硅基材。在受光面上形成第一介电层。在硅基材的背面上形成第二介电层。在硅基材的背面上局部移除第二介电层及硅基材的至少一部分，以在硅基材的背面上形成具有开口的图案化第二介电层以及至少一凹槽，且该开口暴露出凹槽。在受光面上与背面上分别形成第一电极组成物与第二电极组成物，第二电极组成物至少一部份填入硅基材的凹槽中。进行高温工艺，使硅基材与第一电极组成物及与第二电极组成物共烧结，以在受光面上及背面上分别形成第一电极及第二电极。
申请人：友晁能源材料股份有限公司
地址：中国台湾苗栗县竹南镇科研路50-6号3F
国籍：CN
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：臧建明
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