DC磁控溅射制备的TiNx薄膜组分及性能分析

第２９卷第４期　２０１０年８月　文章编号：１００１—９０１４（２０１０）０４—０２４５—０３　红外与毫米波学报　Ｊ．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｍｉｌｌｉｍ．Ｗａｖｅｓ　Ｖｏ１．２９，Ｎｏ．４　Ａｕｇｕｓｔ，２０１０　ＤＣ磁控溅射制备的ＴｉＮｘ薄膜组分及性能分析　李海翼，　赖珍荃　，　朱秀榕，　胡　敏　（南昌大学物理系，江西南昌３３００３１）　摘要：利用Ｄｃ磁控溅射法在ｐ．ｓｊ（１１１）衬底上制备了ＴｉＮ　薄膜．利用ｘ射线能谱仪（ＥＤＸ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、紫　外／可见分光光度计、四探针电阻率测试仪等分析了薄膜的组分、结构和光电特性．结果表明，薄膜中Ｎ／Ｔｉ原子比接　近干１；衬底温度对薄膜的择优取向影响显著，２４０％附近是ＴｉＮ　薄膜结晶择优取向由（１１１）向（２ｏｏ）转变的临界点；薄　膜在近红外波段平均反射率随衬底温度的升高，先增大后减小；薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著降低．　关键词：氮化钛薄膜；磁控溅射；反射率；电阻率　文献标识码：Ａ　中图分类号：０４６９　ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮ　ＡＮＤ　ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ　ＯＦ　ＴｉＮｘ　ＴＨＩＮ　ＦＩＬＭＳ　ＰＲＥＰＡＲＥＤ　ＢＹ　ＤＣ　ＭＡＧＮＥＴＲｏＮ　ＳＰＵＴＴＥＲＩＮＧ　ＬＩ　Ｈａｌ—Ｙｉ，ＬＡＩ　Ｚｈｅｎ－Ｑｕａｎ　，　ＺＨＵ　Ｘｉｕ—Ｒｏｎｇ，ＨＵ　Ｍｉｎ　（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｎａｎｃｈａｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｃｈａｎｇ　３３００３１，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｉＮ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｏｎ　ｐ－Ｓｉ（１１　１）ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｂｙ　ＤＣ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｍｅｔｈｏｄ．ｒＩ１１ｅ　ｃｏｍｐｏ－　ｓｉｔｉｏｎ，ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｓｔｕｄｉｅｄ　ｂｙ　ｕｓｉｎｇ　ｅｎｅｒｇｙ　ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ－ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　（ＥＤＸ），Ｘ－ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ），ＵＶ－ｖｉｓｉｂｌｅ　ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ，ａｎｄ　ｆｏｕｒ・ｐｒｏｂｅ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｍｅｔｅｒ．１１１ｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ａｔｏｍｉｃ　ｒａｔｉｏ　Ｎ／Ｔｊ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ＴｉＮ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｉＳ　ｃｌｏｓｅ　ｔ０　１．Ｔｈｅ　ｐｒｅｆｅｒｒｅｄ　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＴｉＮ　ｔ｝１ｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｉＳ　ｏｂｖｉｏｕｓｌｙ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｔｈｅｒｅ　ｉＳ　ａ　ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｏｆｔｈｅ　ｐｒｅｆｅｒｒｅｄ　ｏｉｒｅｎｔａｔｉｏｎ　ｆｒｏｍ（１１１）ｔｏ（２ｏ０）ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｉＳ　ａｂｏｕｔ　２４０ｏＣ．Ｔｈｅ　ａｖｅｒａｇｅ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｆｉｌｍｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｎｅａｒ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｂａｎｄ　ｆｉｒｓｔ　ｉｎｃｒｅａｓｅｓ　ａｎｄ　ｔｈｅｎ　ｄｅｃｒｅａｓｅｓ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ｗｈｉｌｅ　ｔｈｅ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ＴｉＮ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｃｒｅａｓｅｓ　ｒａｐｉｄｌｙ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ＴｉＮ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ；ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ；ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ；ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　引言　氮化钛属于第四族过渡金属的氮化物，其结构　用作太阳能选择性透射膜－４　Ｊ、电致变色器件中的　导电薄膜以及保护膜、显示器中的反射薄膜和抗静　电薄膜　．但总体上，报道ＴｉＮ　薄膜的光、电性能的　文献相对较少，ＴｉＮ　薄膜的电学和光学性能方面有　待做进一步的深入研究．　采用ＤＣ反应磁控溅射法直接在Ｐ型Ｓｉ（１１１）　衬底上沉积ＴｉＮ　薄膜．着重研究ＤＣ磁控溅射制备　氮化钛过程中衬底温度对薄膜光电性能的影响．　通常是由金属键和共价键混合而成…，这使其具有　金属晶体和共价晶体的特点：高熔点、高硬度、优异　的导热性和化学惰性、优良的导电性和类似金属的　反射比　Ｊ．氮化钛薄膜不仅作为耐磨硬质涂层广泛　用于各种切削工具、机械零部件，也作为装饰薄膜广　泛应用于各种装饰行业．近年来，在微电子器件和光　电子器件应用需求的驱动下，氮化钛薄膜的电学、光　学性能受到了人们的广泛关注．氮化钛薄膜可作为　集成电路芯片中Ｃｕ和Ｓｉ之间的扩散阻挡层　Ｊ，膜　较薄时，在可见光区半透明及红外区高反射。它也可　１实验　利用ＣＫＪ－５００Ｄ多靶磁控溅射镀膜设备，直接　在Ｓｉ衬底上沉积ＴｉＮ薄膜，以￣１００ｍｍ纯度　９９．９９％的金属Ｔｉ为靶材，以纯度为９９．９９９％的氩　收稿日期：２００９—０５—０７，修回日期：２０１０—０１—３１　Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　ｄａｔｅ：２００９．０５－０７，ｒｅｖｉｓｅｄｄａｔｅ：２０１０—０１—３１　基金项目：国家自然科学基金资助（Ｎｏ．５０７３０００７）；同济大学波与材料微结构重点实验室开放基金资助（Ｎｏ．２００６０２）　作者简介：李海翼（１９８３－），女，青海互助人，硕士生，主要从事固体光学与光电子学的研究．　‘通讯作者：ｚｑｌａｉ＠ｎｃｕ．ｅｄｕ．ｃａ．　．　红外与毫米波学报　２９卷　ｌ－３　Ｏ・９　菱０．６　０．３　０．０　１．００　２．００　３．００　４．００　５．００　６．００　Ｅｎｅｒｇｙ／ｋｅＶ　图１　ＴｉＮ　薄膜的ＥＤＸ图谱　Ｆｉｇ．１　ＥＤＸ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ＴｉＮ　出　ｆｉｌｍｓ　气为工作气体，纯度９９．９９９％的氮气为反应气体．　腔体的本底真空度５．０×１０～Ｐａ，溅射时腔体气压Ｐ　为０．３Ｐａ，氩气和氮气流量比为３：１，溅射电流为　０．３５　Ａ，溅射时间为１８０ｍｉｎ，衬底温度１５０～３６０￣Ｃ．　采用Ｂｅｄｅ．Ｄ１型ｘ射线衍射（ＸＲＤ）仪对样品　进行物相分析，Ｘ射线能谱仪（ＥＤＸ）分析其组分，　ＵＶ－３１０１ＰＣ分光光度计测定薄膜的反射率，ＳＤＹ－５　型双电测四探针电阻率测试仪测量薄膜的方块　电阻．　２结果与讨论　２．１薄膜的组分和结晶取向分析　薄膜的光电性能与其组分及结晶取向有关，因　此对样品进行ＥＤＸ和ＸＲＤ测试以获得其组分和结　晶取向．　图１为衬底温度在３３０℃的条件下制备的Ｔｉ℃　℃℃℃℃℃　℃　Ｎ　薄膜样品的ＥＤＸ图谱．计算出Ｎ原子百分含量占　４７．１５％，Ｔｉ原子百分含量占５２．８５％，原子比Ｎ／Ｔｉ　接近于１．　图２为不同温度下沉积的氮化钛薄膜的ＸＲＤ　图．ＸＲＤ测试的结果表明，制备的ＴｉＮ　薄膜主要成　分为立方结构的ＴｉＮ，薄膜为多晶态；衬底温度在　２４０ｏＣ以下时，结晶为（１１１）择优取向，衬底温度继　续升高，结晶逐渐转变成（２００）择优取向，逐渐升高　的温度增加了原子的迁移，进而增加原子表面的扩　散距离，原子向（２００）面结晶的可能性随之增加，　２４０％时ＴｉＮ　薄膜的结晶逐渐转变为（２００）择优取　向．可见２４０ｏＣ附近是ＴｉＮ　薄膜结晶择优取向转变　的临界点．从图２可以看到，３６０ｏＣ时，立方相ＴｉＮ　（１１１）、（２ｏｏ）、（２２０）三个晶面的衍射峰同时存在，　这是由于衬底温度升高，粒子会有一部分在衬底其　２　。　图２不同衬底温度下制备的ＴｉＮ　薄膜的ＸＲＤ图　Ｆｉｇ．２　ＸＲＤ　ｐａｔｔｅｒｎｓ　ｏｆ　ＴｉＮ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｄｉｆｅｒｅｎｔ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　５００　４００　瑶　３００　２００　ｌｏ０　Ｏ　ｌ５Ｏ　２０ｏ　２５０　３００　３５０　４００　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｍｐｅｒｔｕｒｅ／＇Ｃ　图３　ＴｉＮｘ薄膜的电阻率与衬底温度的关系　ｉＦｇ．３　Ｔｈｅ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ＴｉＮｘ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　．ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｒｎ—　ｐｅｒａｔｕｒｅ　它位置成核，薄膜生长开始向多晶面取向进行．　２．２衬底温度对薄膜电阻率的影响　图３是薄膜的电阻率随衬底温度变化的关系曲　线．薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著下降，　在衬底温度为３３０ｏＣ时电阻率为最小值３３．７　ｎ・　ｃｍ，接近块体ＴｉＮ的电阻率２０—３Ｏ　Ｑ・ｃｍ　．在低　温下，沉积的薄膜的结晶性较差，薄膜的缺陷密度较　大，这增加了载流子的散射，因此薄膜导电性能差．　随着衬底温度的升高，吸附在衬底的原子（分子），　在表面的扩散能力增加，薄膜的缺陷密度降低，载流　子迁移率提高，并且较高的衬底温度也有助于溅射　出来的Ｔｉ原子与Ｎ原子在衬底更充分地反应，改善　了ＴｉＮ。薄膜的导电性．　２．３衬底温度对薄膜光学反射率的影响　图４中七条曲线分别是在衬底温度为１５０、　４期　李海翼等：Ｄｃ磁控溅射制备的ＴｉＮ　薄膜组分及性能分析　２４７　Ｑ３ｕ暑８葛　Ｏ　９　８　７　６　５　４　３　２　１　Ｏ　４００　５００　６ＯＯ　７００　８００　９００　１　０００　２／ｎｍ　图４不同衬底温度沉积的ＴｉＮ　薄膜的反射谱　Ｆｉｇ．４　Ｔｈｅ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ＴｉＮ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　ｄｉｆ－　ｆｅｒｅｎｔ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　１８０、２１０、２４０、２７０、３３０、３６０ｏＣ沉积的ＴｉＮ　薄膜的反　射谱，测试波长范围为３５０—１０００ｒｉｍ．从图中可以看　出，七个薄膜样品的反射率都随波长的增大先减小　后增大；近红外波段范围内（７６０～１０００ｎｍ），平均反　射率随衬底温度的升高，先增大后减小．反射率与薄　膜的结晶取向有关，因为２４０ｏＣ附近是择优取向由　（１１１）向（２００）转变的临界点，当薄膜为（１１１）择优　取向时，反射率较低，薄膜为（２００）择优取向时，反　射率普遍较高．另外，氮化钛是一种类金属薄膜，根　据Ｄｒｕｄｅ理论，红外反射率　限随电阻率的减小而增　大．在膜非常薄时，方块电阻尺几越小，红外反射率就　越大，并可用如下近似公式表示　ＲＩＲ＝（１＋０．００５３Ｒ口）～．　（１）　实验中当衬底温度为３３０ｏＣ时样品的方块电阻　Ｒｎ＝２．６１１达到最小，由图４可知其对应的红外反　射率达到０．９，将Ｒｎ＝２．６ｆｔ带人式（１）计算出反射　率的理论值为０．９７，与实验值比较接近，而衬底温　度为３６０℃时，薄膜的电阻率又有所增大，相应的反　射率有所减小．　３结论　利用ＤＣ反应磁控溅射技术，在腔体气压为　０．３Ｐａ，Ａｒ／Ｎ２流量比为３：１，溅射电流为０．３５　Ａ，溅　射时间为１８０ｍｉｎ，衬底温度为１５０—３６０￣Ｃ的工艺参　数下沉积ＴｉＮ　薄膜．ＸＲＤ测试表明，衬底温度对薄　膜的结晶取向有显著影响，２４０￣Ｃ附近是ＴｉＮ　薄膜　结晶择优取向由（１１１）向（２００）转变的临界点．薄膜　的光电性能随沉积时的衬底温度而变：薄膜样品在　近红外波段平均反射率随衬底温度的升高先增大后　减小，薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著下　降．　ＲＥＦＥＲＥＮＣＥＳ　［１］Ｓａｖｖｉｄｅｓ　Ｎ，Ｗｉｎｄｏｗ　Ｂ．Ｅｌｅｃｔｉｒｃａｌ　ｒｔａｎｓｏｐｒｔ，ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒ－　ｔｉｅｓ，ａｎｄ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ＴｉＮ　ｆｉｌｍｓ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｂｙ　ｌｏｗ－ｅｎｅｒｇｙ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，１９８８，６４　（１）：２２５—＿２３４．　［２］Ｎｉｙｏｍｓｏａｎ　Ｓ，Ｇｒａｎｔ　Ｗ，Ｏｌｓｏｎ　Ｄ　Ｌ，ｅｔ　ａ１．Ｖａｒｉａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｃｏｌ—　ｏｒ　ｉｎ　ｔｉｔａｎｉｕｍ　ａｎｄ　ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ｄｅｃｏｒａｔｉｖｅ　ｔｌｌｉｎ　ｆｉｌｍｓ　［Ｊ］．　ｓｏ　Ｆ／／ｍｓ，２００２，４１５（１－２）：ｌ８７一ｌ９４．　［３］Ｇｅｎｇ　Ｊ，Ｓｃｈａｌｅｒ　Ａ，Ｏｅｌｈａｆｅｎ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈａｎｇｉｎｇ　ＴｉＮ　ｆｉｌｍ　ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ　ｂｙ“ｐｌｓａｍａ　ｂｉａｓｉｎｇ”［Ｊ］．　ｕｒｎａｌ　ｏｆＡｐｐｌｅｉｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９９９，ｔｉｆ（６）：３４６Ｏ一３４６２　［４］Ｐａｒｋ　Ｄ　Ｇ，Ｌｉｍ　Ｋ　Ｙ，Ｃｈｏ　Ｈ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐａｃｔ　ｏｆ　ａｔｏｍｉｃ—ｌａｙ－　ｅｒ—ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ＴｉＮ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｇａｔｅ　ｏｘｉｄｅ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｏｆ　Ｗ／ＴｉＮ／　ＳｉＯ，／Ｓｉ　ｍｅｔ１ａ．ｏｘｉｄｅ．ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌｅｉｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００２，８０（１４）：２５１４—２５ｌ６．　［５］Ｙｏｕｎ　Ｓ，Ｒｏｈ　Ｋ，Ｙａｎｇ　Ｓ　Ｗ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｈｔｅ　Ｗ－　ＴｉＮ　ｍｅｔｌａ　ｇａｔｅ　ｆｏｒ　ｍｅｔａｌ—ｏｘｉｄｅ—ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．　ｍｎｚ　ｆｏ　ｕｕｍ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＡ，２００１，１９（４）：　１５９１一ｌ５９４．　［６］Ｌｉｕ　Ｐ　Ｔ，Ｔｉｎｇ　Ｃ　Ｃ，Ｈｕ　Ｊ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｍｕｌｔｉｓ－　ｔａｃｋｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　Ｔｉ／ＴｉＮ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｓ　ｔｈｅ　ｄｉｆ－　ｆｕｓｉｏｎ　ｂａｒｒｉｅｒ　ｉｎ　ｕｌｔｒａｌａｒｇｅ　ｓｃａｌｅ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｍｅｔｌａｌｉｚａｔｉｏｎ　［Ｊ］．Ｊ０ｕｒｎａｌ　ｏｆｔｈｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｅｈｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，２ＯＯＯ，１４７（１）：　３６８—－３７２．　［７］Ｋｉｍ　Ｎ　Ｙ，Ｓｏｎ　Ｙ　Ｂ，Ｏｈ　Ｊ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．ＴＩＮ　ｌａｙｅｒｓ　ａｓ　ｎａ　ａｎ－　ｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　ａｎｔｉｓｔａｔｉｃ　ｃｏａｔｉｎｇ　ｆｏｒ　ｄｉｓｐｌａｙ［Ｊ］．ｓ咖　ａｎｄ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｙｇ，２０００：１２８＿ｌ２９（５０４）：１５６—　１６０．　［８］Ｔｓａｉ　Ｗ，Ｄｅｌｉｆｎｏ　Ｍ，Ｆａｉｒ　Ｊ　Ａ，ｅｔ　ａ１．Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｄｅｐｅｎｄ—　ｅｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ｒｅａｃｔｉｖｅｌｙ　ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　ＴｉＮ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．ＪｏＵｒｎａｌ　ｆｏＡｐｐｌｅｉｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９９３，７３（９）：４４６２－－　４４６７．　［９］ＺＨＥＮＧ　Ｐｅｎｇ－Ｆｅｉ，ＺＨＡＯ　Ｇａｏ—Ｌｉｎ，ＺＨＡＮＧ　Ｔｉｎａ—Ｂｏ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｅ　ｓｕｄｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＴｉＮ　ａｓ　ｎｅｗ　ｅｎｅｒｇｙ・ｓａｖｉｎｇ　ｓｌａｓｓ　ｃｏａｔｉｎｇ　［Ｊ］．Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｓｃｉｅｃｎｅ　Ｂｕｌｅｌｔｉｎ（郑鹏飞，赵高凌，张天播，　等．氮化钛作为新型节能玻璃涂层的研究［Ｊ］．科学通　报），２００７，５２（９）：１０９ｌ一１０９３．