专利名称：微结构化电极结构专利类型：发明专利
发明人：A·拉希里,R·思博尼茨,N·沙阿,M·拉马苏布拉马尼
亚,H·J·鲁斯特三世,J·D·威尔科克斯,M·J·阿姆斯特朗,B·布鲁斯卡,C·卡斯特勒蒂内,L·J·劳克兰
申请号：CN201380006585.1申请日：20130124公开号：CN104094451A公开日：20141008
摘要：一种在储能装置中使用的结构，该结构包括从参考平面大致垂直地延伸的主干系统以及由所述主干的侧面支撑的微结构化阳极活性材料层的群组，每个所述微结构化阳极活性材料层具有至少0.1的空隙体积分率和至少1微米的厚度。
申请人：艾诺维克斯公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京市中咨律师事务所
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